系统能满足各种封装形式的二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆和 IGBT 单管等半导体分立器件的高温反偏试验(HTRB)和老化筛选。
┃ 高温试验箱 | R.T.~(210℃);温度均匀性:≤±3℃(空载);-波动度:≤±0.5℃; |
┃ 容量 | 16个试验通道;单板40个工位 / 整机640工位; |
┃ 试验电源 | 配置反偏电源 *4台;Max 6000V; 反偏电源*4台;Max 3000V; |
┃ 驱动板数量 | 16块; |
电压检测:0.0~6000.0V;精度:±(0.5% rdg.+ 1LSB ) ;分辨率:1V 电流检测:0.001μA~50.00mA;精度:±(1% rdg.+0.01)μA;分辨率:0.001μA |