BTI-X3360 (≤15W)
腔体温控型集成电路高温动态老化系统--存储器,Memory,MCU
针对中低功率（≤10W）器件，在室温+10℃~150℃的环境下对QFN、QFP、BGA、SOP、SSOP、TSSOP等各种封装形式的中、小规模MCU、数字逻辑器件、SoC数字芯片、存储芯片（FLASH、DRAM等）等进行高温动态老化试验和寿命评估试验。同时系统采用TDBI技术，在老化过程中可对被测芯片进行逻辑功能测试。
┃ 单板信号通道数 | 184路（ Bidirectional I/O） |
┃ 最大编程深度 | 64M Words(Max) |
┃ 信号最高频率 | 20MHz |
┃ 边沿种类 | 8 Edges |
┃ 向量边沿格式 | 8种基本格式；D/U/Z/P ，L/H/X/T |
┃ 数字信号驱动电平 | VIH=0.6V~5.5V ， VIL≤0.8V； |
┃ 驱动电流能力 | ±200mA |
┃ 输出信号边沿属性 | Tr≤10ns ，Tf≤10ns |
┃ 窗口比较器参考电平范围 | VOH:0.6V~5.5V，VOL:0.6V~5.5V |
注：其中向量边沿格式解析如下： D:输出低电平；U:输出高电平；Z：输出高阻态；P：输出保持；L:接收低电平；H:接收高电平；X：接收不关心；T：接收高阻态。
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