0571-85123400
中安
中安
BTR-T6000(SiC Wafer Level)
SiC晶圆高温老化测试系统+晶圆上下料机

适用于 SiC 8吋及以下晶圆的高温反偏(HTRB)高温栅偏试验(HTGB)、老化筛选


 试验数量

支持2304(768*3)个通道同时老化;

 试验温度

每区加热台室温~200℃,准确性±2℃,温度过冲≤3℃;

 HTRB

 电流检测

电压0~2000V,分辨率1V;

0.1μA~50mA,分辨率0.1uA,检测精度±(1%rdg.+2LSB)

 HTGB

 电流检测

电压±60V,分辨率0.1V;

10nA~100uA,分辨率10pA,检测精度±(1% rdg.+2LSB)

 阈值电压检测

 保护气压

Max30V,分辨率0.1V;

0~4bar惰性气体




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