0571-85123400
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WLXB6000 (SiC Wafer Level)
SiC晶圆高温老化测试系统+晶圆上下料机

适用于8英寸及以下、同时5片晶圆独立高温栅偏试验HTGB、高温反偏试验HTRB、Vth测试及老化筛选。


系统符合并满足JEP183、MIL-STD-750D、GJB128B、AEC-Q101等试验标准;提供API接口,开放设备状态、通道状态、试验数据、失效数据等对外接口,可部署在私有云或者公有云上,实现实验室设备、工作人员、任务及数据的数字化管理,提升试验效率及试验规范化、标准化程度;配备老化夹具搬运机构,实现上下料机和老化测试台之间老化夹具搬运;搬运机构具备自动升降功能,手动或自动运动到上下料机和测试台,自动从上下料机和老化测试台工位取放夹具;常温下晶圆Die上的压痕为点状,随机选取若干压痕点位进行测量,压痕深度200~400nm。


┃ 试验数量

整机支持3840(768*5)个通道同时老化;

┃ 试验温度

每区加热台室温~200℃,准确性±2℃,温度过冲≤3℃;

┃ HTRB

┃ IDSS电流检测

电压0~2000V,分辨率1V;

0.1μA~1mA,分辨率0.1uA,检测精度±(1%rdg.+2LSB)

┃ HTGB

┃ IGSS电流检测

电压±60V,分辨率0.1V;

10pA~500uA,分辨率10pA,检测精度±(1%rdg.+50pA)

┃ 阈值电压检测

┃ 保护气压

0-10.0V,分辨率0.1V;

0~4bar惰性气体




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